1、必须径向充磁（直径方向 N/S）圆环 / 圆片磁铁；轴向充磁（正反面 N/S）基本不可用 2、材质：钕铁硼 NdFeB；表面磁场目标 30~70 mT；气隙典型 0.5–3 mm 3、偏心、倾斜、气隙不均会带来非线性、零点漂移、抖动；磁铁直径尽量大于芯片尺寸 4、读 STATUS（0x0B）判断磁场： MD=1：检测到磁铁 ML=1：磁场太弱（抖动大） MH=1：磁场过强（AGC 饱和） 5、AGC 寄存器（0x1A）辅助调气隙：3.3V 下理想值在中间区间；过小 = 弱，过大 = 强 ← 返回知识库
